На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BCV29,115 | BCV29E6327 | BCV29TA | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab) | SOT-89 | SOT-89-3, TO-243-3 |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | Infineon Technologies | Diodes/Zetex |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <500 мА | ||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <30 В | ||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <1.3 Вт | <1 Вт | <1 Вт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >4000Ic, Vce = 1mA, 5V | >4000Ic, Vce = 100µA, 1V | >10000Ic, Vce = 10mA, 5V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <1 ВIb, Ic = 100µA, 100mA | ||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <220 МГц | <150 МГц | <150 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN Darlington | ||