BCP69-16,115

BCP69, BCP69,115, BCP69,135, BCP69-16,115, BCP69-16E6327, BCP69-25,115, BCP69-25,135, BCP69-25E6327, BCP69T1, BCP69T1G, BCP69TA, BCP69USE6327

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBCP69,115BCP69,135BCP69-16,115BCP69-16E6327BCP69-25,115BCP69-25,135BCP69-25E6327BCP69T1BCP69T1GBCP69TABCP69USE6327
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA, SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AASOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA, SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AASOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA, SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AASOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA, SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AASOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA, SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AASOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA, SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AASOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA, SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AASOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA, SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AASOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA, SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AASOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA, SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AASOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA, 6-TSOP
Производитель
Производитель
NXP SemiconductorsNXP SemiconductorsNXP SemiconductorsInfineon TechnologiesNXP SemiconductorsNXP SemiconductorsInfineon TechnologiesON SemiconductorON SemiconductorDiodes/ZetexInfineon Technologies
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<1 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<20 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<625 мВт<625 мВт<625 мВт<1.5 Вт<625 мВт<625 мВт<1.5 Вт<1.5 Вт<1.5 Вт<2 Вт<1 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>85Ic, Vce = 500mA, 1V>85Ic, Vce = 500mA, 1V>100Ic, Vce = 500mA, 1V>100Ic, Vce = 500mA, 1V>160Ic, Vce = 500mA, 1V>160Ic, Vce = 500mA, 1V>160Ic, Vce = 500mA, 1V>85Ic, Vce = 500mA, 1V>85Ic, Vce = 500mA, 1V>63Ic, Vce = 500mA, 1V>85Ic, Vce = 500mA, 1V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<500 мВIb, Ic = 100mA, 1A
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<140 МГц<140 МГц<140 МГц<100 МГц<140 МГц<140 МГц<100 МГц<60 МГц<60 МГц<100 МГц(не задано)
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP