На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BCP69,115 | BCP69,135 | BCP69-16,115 | BCP69-16E6327 | BCP69-25,115 | BCP69-25,135 | BCP69-25E6327 | BCP69T1 | BCP69T1G | BCP69TA | BCP69USE6327 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA, SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA, SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA, SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA, SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA, SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA, SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA, SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA, SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA, SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA, SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA, 6-TSOP |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | Infineon Technologies | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | Infineon Technologies | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Diodes/Zetex | Infineon Technologies |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||||||||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <1 А | ||||||||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <20 В | ||||||||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <625 мВт | <625 мВт | <625 мВт | <1.5 Вт | <625 мВт | <625 мВт | <1.5 Вт | <1.5 Вт | <1.5 Вт | <2 Вт | <1 Вт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >85Ic, Vce = 500mA, 1V | >85Ic, Vce = 500mA, 1V | >100Ic, Vce = 500mA, 1V | >100Ic, Vce = 500mA, 1V | >160Ic, Vce = 500mA, 1V | >160Ic, Vce = 500mA, 1V | >160Ic, Vce = 500mA, 1V | >85Ic, Vce = 500mA, 1V | >85Ic, Vce = 500mA, 1V | >63Ic, Vce = 500mA, 1V | >85Ic, Vce = 500mA, 1V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <500 мВIb, Ic = 100mA, 1A | ||||||||||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <140 МГц | <140 МГц | <140 МГц | <100 МГц | <140 МГц | <140 МГц | <100 МГц | <60 МГц | <60 МГц | <100 МГц | (не задано) |
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | ||||||||||