BCP5616

BCP5616, BCP5616TA, BCP5616TC

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBCP5616TABCP5616TC
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Производитель
Производитель
Diodes/Zetex
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<1 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<80 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<2 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>100Ic, Vce = 150mA, 2V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<500 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<125 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN