На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BCP56-10,115 | BCP56-10,135 | BCP56-10E6327 | BCP56-10E6433 | BCP56-10T1G | BCP56,115 | BCP56-16 | BCP56-16,115 | BCP56-16,135 | BCP56-16E6327 | BCP56-16T1 | BCP56-16T1G | BCP56-16T3 | BCP56-16T3G | BCP56T1 | BCP56T1G | BCP56T3G | BCP56TA | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | |||||||||||||||||
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | Infineon Technologies | Infineon Technologies | ON Semiconductor | NXP Semiconductors | STMicroelectronics | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | Infineon Technologies | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Diodes/Zetex |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||||||||||||||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <1 А | |||||||||||||||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <80 В | |||||||||||||||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <640 мВт | <640 мВт | <1.5 Вт | <1.5 Вт | <1.5 Вт | <640 мВт | <1.6 Вт | <640 мВт | <640 мВт | <1.5 Вт | <1.5 Вт | <1.5 Вт | <1.5 Вт | <1.5 Вт | <1.5 Вт | <1.5 Вт | <1.5 Вт | <2 Вт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >63Ic, Vce = 150mA, 2V | >63Ic, Vce = 150mA, 2V | >63Ic, Vce = 150mA, 2V | >63Ic, Vce = 150mA, 2V | >63Ic, Vce = 150mA, 2V | >63Ic, Vce = 150mA, 2V | >100Ic, Vce = 150mA, 2V | >100Ic, Vce = 150mA, 2V | >100Ic, Vce = 150mA, 2V | >100Ic, Vce = 150mA, 2V | >100Ic, Vce = 150mA, 2V | >100Ic, Vce = 150mA, 2V | >100Ic, Vce = 150mA, 2V | >100Ic, Vce = 150mA, 2V | >25Ic, Vce = 150mA, 2V | >25Ic, Vce = 150mA, 2V | >25Ic, Vce = 150mA, 2V | >40Ic, Vce = 150mA, 2V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <500 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | |||||||||||||||||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <180 МГц | <180 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <130 МГц | <180 МГц | (не задано) | <180 МГц | <180 МГц | <100 МГц | <130 МГц | <130 МГц | <130 МГц | <130 МГц | <130 МГц | <130 МГц | <130 МГц | <125 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | |||||||||||||||||