На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BCP53-10,115 | BCP53-10,135 | BCP53-10E6327 | BCP53-10T1 | BCP53-10T1G | BCP53,115 | BCP53-16,115 | BCP53-16,135 | BCP53-16E6327 | BCP53-16E6433 | BCP53-16T1 | BCP53-16T1G | BCP53-16T3G | BCP53T1 | BCP53T1G | BCP53TA | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | |||||||||||||||
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | Infineon Technologies | ON Semiconductor | ON Semiconductor | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | Infineon Technologies | Infineon Technologies | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Diodes/Zetex |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||||||||||||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <1 А | <1 А | <1 А | <1.5 А | <1.5 А | <1 А | <1 А | <1 А | <1 А | <1 А | <1.5 А | <1.5 А | <1.5 А | <1.5 А | <1.5 А | <1 А |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <80 В | |||||||||||||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <650 мВт | <650 мВт | <1.5 Вт | <1.5 Вт | <1.5 Вт | <1.3 Вт | <650 мВт | <650 мВт | <1.5 Вт | <1.5 Вт | <1.5 Вт | <1.5 Вт | <1.5 Вт | <1.5 Вт | <1.5 Вт | <2 Вт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >63Ic, Vce = 150mA, 2V | >63Ic, Vce = 150mA, 2V | >63Ic, Vce = 150mA, 2V | >63Ic, Vce = 150mA, 2V | >63Ic, Vce = 150mA, 2V | >63Ic, Vce = 150mA, 2V | >100Ic, Vce = 150mA, 2V | >100Ic, Vce = 150mA, 2V | >100Ic, Vce = 150mA, 2V | >100Ic, Vce = 150mA, 2V | >100Ic, Vce = 150mA, 2V | >100Ic, Vce = 150mA, 2V | >100Ic, Vce = 150mA, 2V | >40Ic, Vce = 150mA, 2V | >40Ic, Vce = 150mA, 2V | >40Ic, Vce = 150mA, 2V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <500 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | |||||||||||||||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <145 МГц | <145 МГц | <125 МГц | <50 МГц | <50 МГц | <145 МГц | <145 МГц | <145 МГц | <125 МГц | <125 МГц | <50 МГц | <50 МГц | <50 МГц | <50 МГц | <50 МГц | <125 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | |||||||||||||||