BCP52

BCP52, BCP52-10,135, BCP52,135, BCP52-16, BCP52-16,115, BCP52-16E6327, BCP52TA

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBCP52-10,135BCP52,135BCP52-16BCP52-16,115BCP52-16E6327BCP52TA
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Производитель
Производитель
NXP SemiconductorsNXP SemiconductorsSTMicroelectronicsNXP SemiconductorsInfineon TechnologiesDiodes/Zetex
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<1 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<60 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<650 мВт<650 мВт<1.4 Вт<650 мВт<1.5 Вт<2 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>63Ic, Vce = 150mA, 2V>63Ic, Vce = 150mA, 2V>100Ic, Vce = 150mA, 2V>100Ic, Vce = 150mA, 2V>100Ic, Vce = 150mA, 2V>40Ic, Vce = 150mA, 2V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<500 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<145 МГц<145 МГц<50 МГц<145 МГц<125 МГц<125 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP