На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BCP51-10,135 | BCP51,115 | BCP51-16,115 | BCP51-16,135 | BCP51-16E6327 | BCP51-16E6433 | BCP51E6327 | BCP51TA | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | |||||||
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Diodes/Zetex |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <1 А | |||||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <45 В | |||||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <650 мВт | <650 мВт | <650 мВт | <650 мВт | <1.5 Вт | <1.5 Вт | <1.5 Вт | <2 Вт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >63Ic, Vce = 150mA, 2V | >63Ic, Vce = 150mA, 2V | >100Ic, Vce = 150mA, 2V | >100Ic, Vce = 150mA, 2V | >100Ic, Vce = 150mA, 2V | >100Ic, Vce = 150mA, 2V | >40Ic, Vce = 150mA, 2V | >40Ic, Vce = 150mA, 2V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <500 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | |||||||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <145 МГц | <145 МГц | <145 МГц | <145 МГц | <125 МГц | <125 МГц | <125 МГц | <125 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | |||||||