На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BC875,126 | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <1 А |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <45 В |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <830 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >1000Ic, Vce = 150mA, 10V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <1.3 ВIb, Ic = 500µA, 500mA |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <200 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN Darlington |
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <50 нА |