На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BC869,115 | BC869,135 | BC869-16,115 | BC869-25,115 | BC869TA | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab) | SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab) | SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab) | SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab) | SOT-89-3, TO-243-3 |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | Diodes/Zetex |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <1 А | ||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <20 В | ||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <500 мВт | <500 мВт | <500 мВт | <500 мВт | <1 Вт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >85Ic, Vce = 500mA, 1V | >85Ic, Vce = 500mA, 1V | >100Ic, Vce = 500mA, 1V | >160Ic, Vce = 500mA, 1V | >85Ic, Vce = 500mA, 1V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <500 мВIb, Ic = 100mA, 1A | ||||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <140 МГц | <140 МГц | <140 МГц | <140 МГц | <60 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | ||||