На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BC860AMTF | BC860B,215 | BC860B,235 | BC860BE6327 | BC860BFE6327 | BC860BMTF | BC860BW,115 | BC860BW,135 | BC860BWE6327 | BC860C,215 | BC860C,235 | BC860CB5003 | BC860CW,115 | BC860CW,135 | BC860CWE6327 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23 | TSFP-3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SC-70-3, SOT-323-3 | SC-70-3, SOT-323-3 | SOT-323 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23 | SC-70-3, SOT-323-3 | SC-70-3, SOT-323-3 | SOT-323 |
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Fairchild Semiconductor | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | Infineon Technologies | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | Infineon Technologies | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | Infineon Technologies |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||||||||||||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА | ||||||||||||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <45 В | ||||||||||||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <310 мВт | <250 мВт | <250 мВт | <330 мВт | <330 мВт | <310 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <250 мВт | <250 мВт | <250 мВт | <330 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <250 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >110Ic, Vce = 2mA, 5V | >220Ic, Vce = 2mA, 5V | >220Ic, Vce = 2mA, 5V | >250Ic, Vce = 10µA, 5V | >250Ic, Vce = 10µA, 5V | >200Ic, Vce = 2mA, 5V | >220Ic, Vce = 2mA, 5V | >220Ic, Vce = 2mA, 5V | >250Ic, Vce = 10µA, 5V | >420Ic, Vce = 2mA, 6V | >420Ic, Vce = 2mA, 5V | >480Ic, Vce = 10µA, 5V | >420Ic, Vce = 2mA, 5V | >420Ic, Vce = 2mA, 5V | >480Ic, Vce = 10µA, 5V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <150 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <150 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <250 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <250 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <250 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | ||||||||||||||