На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BC859AMTF | BC859B,215 | BC859BLT1 | BC859BLT1G | BC859BLT3G | BC859BMTF | BC859BW,115 | BC859BW,135 | BC859C,215 | BC859C,235 | BC859CE6327 | BC859CLT1 | BC859CLT1G | BC859CMTF | BC859CW,115 | BC859CW,135 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SC-70-3, SOT-323-3 | SC-70-3, SOT-323-3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SC-70-3, SOT-323-3 | SC-70-3, SOT-323-3 |
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | NXP Semiconductors | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Fairchild Semiconductor | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | Infineon Technologies | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Fairchild Semiconductor | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||||||||||||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА | |||||||||||||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <30 В | |||||||||||||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <310 мВт | <250 мВт | <225 мВт | <225 мВт | <225 мВт | <310 мВт | <250 мВт | <250 мВт | <250 мВт | <250 мВт | <330 мВт | <225 мВт | <225 мВт | <310 мВт | <200 мВт | <200 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >110Ic, Vce = 2mA, 5V | >220Ic, Vce = 2mA, 5V | >220Ic, Vce = 2mA, 5V | >220Ic, Vce = 2mA, 5V | >220Ic, Vce = 2mA, 5V | >200Ic, Vce = 2mA, 5V | >220Ic, Vce = 2mA, 5V | >220Ic, Vce = 2mA, 5V | >420Ic, Vce = 2mA, 5V | >420Ic, Vce = 2mA, 5V | >480Ic, Vce = 10µA, 5V | >420Ic, Vce = 2mA, 5V | >420Ic, Vce = 2mA, 5V | >420Ic, Vce = 2mA, 5V | >420Ic, Vce = 2mA, 5V | >420Ic, Vce = 2mA, 5V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <150 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <150 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <250 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <150 МГц | <100 МГц | <100 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | |||||||||||||||