На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BC850AMTF | BC850B,215 | BC850B,235 | BC850BB5003 | BC850BE6327 | BC850BFE6327 | BC850BLT1 | BC850BLT1G | BC850BMTF | BC850BW,115 | BC850BW,135 | BC850BWE6327 | BC850C,215 | BC850C,235 | BC850CB5003 | BC850CE6327 | BC850CLT1 | BC850CLT1G | BC850CMTF | BC850CW,115 | BC850CW,135 | BC850CWE6327 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SC-70-3, SOT-323-3 | SC-70-3, SOT-323-3 | SOT-323 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SC-70-3, SOT-323-3 | SC-70-3, SOT-323-3 | SOT-323 |
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Fairchild Semiconductor | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | Infineon Technologies | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | Infineon Technologies | Infineon Technologies | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Fairchild Semiconductor | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | Infineon Technologies |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||||||||||||||||||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА | |||||||||||||||||||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <45 В | |||||||||||||||||||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <310 мВт | <250 мВт | <250 мВт | <330 мВт | <330 мВт | <250 мВт | <225 мВт | <225 мВт | <310 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <250 мВт | <250 мВт | <250 мВт | <330 мВт | <330 мВт | <225 мВт | <225 мВт | <310 мВт | <200 мВт | <200 мВт | <250 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >110Ic, Vce = 2mA, 5V | >240Ic, Vce = 10µA, 5V | >240Ic, Vce = 10µA, 5V | >250Ic, Vce = 10µA, 5V | >250Ic, Vce = 10µA, 5V | >250Ic, Vce = 10µA, 5V | >200Ic, Vce = 2mA, 5V | >200Ic, Vce = 2mA, 5V | >200Ic, Vce = 2mA, 5V | >200Ic, Vce = 2mA, 5V | >200Ic, Vce = 2mA, 5V | >250Ic, Vce = 10µA, 5V | >450Ic, Vce = 10µA, 5V | >450Ic, Vce = 10µA, 5V | >480Ic, Vce = 10µA, 5V | >480Ic, Vce = 10µA, 5V | >420Ic, Vce = 2mA, 5V | >420Ic, Vce = 2mA, 5V | >420Ic, Vce = 2mA, 5V | >420Ic, Vce = 2mA, 5V | >420Ic, Vce = 2mA, 5V | >480Ic, Vce = 10µA, 5V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <200 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <200 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <200 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <300 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <300 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <250 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <300 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <250 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | |||||||||||||||||||||