На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BC636,116 | BC636BU | BC636_J35Z | BC636TA | BC636TAR | BC636TF | BC636TFR | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | ||||||
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | ||||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | ||||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <1 А | ||||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <45 В | ||||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <830 мВт | <1 Вт | <1 Вт | <1 Вт | <1 Вт | <1 Вт | <1 Вт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >63Ic, Vce = 150mA, 2V | >40Ic, Vce = 150mA, 2V | >40Ic, Vce = 150mA, 2V | >40Ic, Vce = 150mA, 2V | >40Ic, Vce = 150mA, 2V | >40Ic, Vce = 150mA, 2V | >40Ic, Vce = 150mA, 2V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <500 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | ||||||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <180 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <100 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | ||||||