BC635_D27Z

BC635, BC635,112, BC635,116, BC635-16,126, BC635_D26Z, BC635_D27Z, BC635_D75Z, BC635_J35Z, BC635_L34Z, BC635RL1, BC635RL1G, BC635ZL1, BC635ZL1G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBC635,112BC635,116BC635-16,126BC635_D26ZBC635_D27ZBC635_D75ZBC635_J35ZBC635_L34ZBC635RL1BC635RL1GBC635ZL1BC635ZL1G
Корпус микросхемы
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Производитель
Производитель
NXP SemiconductorsNXP SemiconductorsNXP SemiconductorsFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<1 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<45 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<830 мВт<830 мВт<830 мВт<1 Вт<1 Вт<1 Вт<1 Вт<1 Вт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>63Ic, Vce = 150mA, 2V>63Ic, Vce = 150mA, 2V>63Ic, Vce = 150mA, 2V>40Ic, Vce = 150mA, 2V>40Ic, Vce = 150mA, 2V>40Ic, Vce = 150mA, 2V>40Ic, Vce = 150mA, 2V>40Ic, Vce = 150mA, 2V>40Ic, Vce = 150mA, 2V>40Ic, Vce = 150mA, 2V>40Ic, Vce = 150mA, 2V>40Ic, Vce = 150mA, 2V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<500 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<180 МГц<180 МГц<180 МГц<100 МГц<100 МГц<100 МГц<100 МГц<100 МГц<200 МГц<200 МГц<200 МГц<200 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN