BC618,112

BC618, BC618,112, BC618G, BC618RL1, BC618RL1G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBC618,112BC618GBC618RL1BC618RL1G
Корпус микросхемы
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Производитель
Производитель
NXP Semiconductors
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<500 мА<1 А<1 А<1 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<55 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<625 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>10000Ic, Vce = 200mA, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<1.1 ВIb, Ic = 200µA, 200mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<155 МГц<150 МГц<150 МГц<150 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN Darlington
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<50 мкА<50 нА<50 нА<50 нА