На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BC560ABU | BC560ATA | BC560BBU | BC560BTA | BC560BU | BC560C | BC560CBU | BC560CG | BC560C_J35Z | BC560CTA | BC560CTAR | BC560CZL1 | BC560CZL1G | BC560_J35Z | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | |||||||||||||
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | ON Semiconductor | Fairchild Semiconductor | ON Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |||||||||||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА | |||||||||||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <45 В | |||||||||||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <500 мВт | <500 мВт | <500 мВт | <500 мВт | <500 мВт | <625 мВт | <500 мВт | <625 мВт | <500 мВт | <500 мВт | <500 мВт | <625 мВт | <625 мВт | <500 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >110Ic, Vce = 2mA, 5V | >110Ic, Vce = 2mA, 5V | >200Ic, Vce = 2mA, 5V | >200Ic, Vce = 2mA, 5V | >200Ic, Vce = 2mA, 5V | >380Ic, Vce = 2mA, 5V | >420Ic, Vce = 2mA, 5V | >380Ic, Vce = 2mA, 5V | >420Ic, Vce = 2mA, 5V | >420Ic, Vce = 2mA, 5V | >420Ic, Vce = 2mA, 5V | >380Ic, Vce = 2mA, 5V | >380Ic, Vce = 2mA, 5V | >110Ic, Vce = 2mA, 5V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <150 МГц | <150 МГц | <150 МГц | <150 МГц | <150 МГц | <250 МГц | <150 МГц | <250 МГц | <150 МГц | <150 МГц | <150 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <150 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | |||||||||||||