BC559ABU

BC559, BC559ABU, BC559ATA, BC559B, BC559BBU, BC559B_J35Z, BC559BTA, BC559BTAR, BC559BU, BC559C,116, BC559CBU, BC559CTA, BC559_J35Z

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBC559ABUBC559ATABC559BBC559BBUBC559B_J35ZBC559BTABC559BTARBC559BUBC559C,116BC559CBUBC559CTABC559_J35Z
Корпус микросхемы
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Производитель
Производитель
Fairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorNXP SemiconductorsFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<100 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<30 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<500 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>110Ic, Vce = 2mA, 5V>110Ic, Vce = 2mA, 5V>200Ic, Vce = 2mA, 5V>200Ic, Vce = 2mA, 5V>200Ic, Vce = 2mA, 5V>200Ic, Vce = 2mA, 5V>200Ic, Vce = 2mA, 5V>200Ic, Vce = 2mA, 5V>420Ic, Vce = 2mA, 5V>420Ic, Vce = 2mA, 5V>420Ic, Vce = 2mA, 5V>110Ic, Vce = 2mA, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<150 МГц<150 МГц<150 МГц<150 МГц<150 МГц<150 МГц<150 МГц<150 МГц<100 МГц<150 МГц<150 МГц<150 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP