BC558

BC558, BC558ABU, BC558ATA, BC558B, BC558BBU, BC558B_J18Z, BC558B_J35Z, BC558BRL, BC558BRL1, BC558BRL1G, BC558BRLG, BC558BTA, BC558BTAR, BC558BTF, BC558BTFR, BC558BU, BC558BZL1, BC558BZL1G, BC558C, BC558CBU, BC558C_J35Z, BC558CTA, BC558CZL1, BC558CZL1G, BC558_D81Z, BC558_J35Z, BC558TA, BC558TAR, BC558TF, BC558TFR

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBC558ABUBC558ATABC558BBC558BBUBC558B_J18ZBC558B_J35ZBC558BRLBC558BRL1BC558BRL1GBC558BRLGBC558BTABC558BTARBC558BTFBC558BTFRBC558BUBC558BZL1BC558BZL1GBC558CBC558CBUBC558C_J35ZBC558CTABC558CZL1BC558CZL1GBC558_D81ZBC558_J35ZBC558TABC558TARBC558TFBC558TFR
Корпус микросхемы
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Производитель
Производитель
Fairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<100 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<30 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<500 мВт<500 мВт<500 мВт<500 мВт<500 мВт<500 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<500 мВт<500 мВт<500 мВт<500 мВт<500 мВт<625 мВт<625 мВт<500 мВт<500 мВт<500 мВт<500 мВт<625 мВт<625 мВт<500 мВт<500 мВт<500 мВт<500 мВт<500 мВт<500 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>110Ic, Vce = 2mA, 5V>110Ic, Vce = 2mA, 5V>200Ic, Vce = 2mA, 5V>200Ic, Vce = 2mA, 5V>200Ic, Vce = 2mA, 5V>200Ic, Vce = 2mA, 5V>180Ic, Vce = 2mA, 5V>180Ic, Vce = 2mA, 5V>180Ic, Vce = 2mA, 5V>180Ic, Vce = 2mA, 5V>200Ic, Vce = 2mA, 5V>200Ic, Vce = 2mA, 5V>200Ic, Vce = 2mA, 5V>200Ic, Vce = 2mA, 5V>200Ic, Vce = 2mA, 5V>180Ic, Vce = 2mA, 5V>180Ic, Vce = 2mA, 5V>420Ic, Vce = 2mA, 5V>420Ic, Vce = 2mA, 5V>420Ic, Vce = 2mA, 5V>420Ic, Vce = 2mA, 5V>420Ic, Vce = 2mA, 5V>420Ic, Vce = 2mA, 5V>110Ic, Vce = 2mA, 5V>110Ic, Vce = 2mA, 5V>110Ic, Vce = 2mA, 5V>110Ic, Vce = 2mA, 5V>110Ic, Vce = 2mA, 5V>110Ic, Vce = 2mA, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<150 МГц<150 МГц<150 МГц<150 МГц<150 МГц<150 МГц<360 МГц<360 МГц<360 МГц<360 МГц<150 МГц<150 МГц<150 МГц<150 МГц<150 МГц<360 МГц<360 МГц<150 МГц<150 МГц<150 МГц<150 МГц<360 МГц<360 МГц<150 МГц<150 МГц<150 МГц<150 МГц<150 МГц<150 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP
Ток отсечки коллектора
Ifrc
(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)<100 нА<100 нА<100 нА<100 нА(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)<100 нА<100 нА(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)<100 нА<100 нА(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)