BC557_J05Z

BC557, BC557,112, BC557,116, BC557ABU, BC557ATA, BC557AZL1, BC557AZL1G, BC557B, BC557B,112, BC557B,116, BC557B,126, BC557BBU, BC557B_D11Z, BC557BG, BC557B_J18Z, BC557B_J35Z, BC557BRL1G, BC557BTA, BC557BTAR, BC557BTF, BC557BTFR, BC557BU, BC557BZL1, BC557BZL1G, BC557C, BC557C,112, BC557C,126, BC557CG, BC557CZL1, BC557CZL1G, BC557_D11Z, BC557_J05Z, BC557_J35Z, BC557TA, BC557TAR, BC557TF, BC557TFR

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр		BC557,112	BC557,116	BC557ABU	BC557ATA	BC557AZL1	BC557AZL1G	BC557B	BC557B,112	BC557B,116	BC557B,126	BC557BBU	BC557B_D11Z	BC557BG	BC557B_J18Z	BC557B_J35Z	BC557BRL1G	BC557BTA	BC557BTAR	BC557BTF	BC557BTFR	BC557BU	BC557BZL1	BC557BZL1G	BC557C	BC557C,112	BC557C,126	BC557CG	BC557CZL1	BC557CZL1G	BC557_D11Z	BC557_J05Z	BC557_J35Z	BC557TA	BC557TAR	BC557TF	BC557TFR
Корпус микросхемы	Корпус	TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Производитель	Производитель	NXP Semiconductors	NXP Semiconductors	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	NXP Semiconductors	NXP Semiconductors	NXP Semiconductors	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	ON Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	ON Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	NXP Semiconductors	NXP Semiconductors	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему	Монтаж	В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора	I_C	<100 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера	U_CEO	<45 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора	P_C	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<625 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<625 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора	hFE	>125Ic, Vce = 2mA, 5V	>125Ic, Vce = 2mA, 5V	>110Ic, Vce = 2mA, 5V	>110Ic, Vce = 2mA, 5V	>120Ic, Vce = 2mA, 5V	>120Ic, Vce = 2mA, 5V	>180Ic, Vce = 2mA, 5V	>220Ic, Vce = 2mA, 5V	>220Ic, Vce = 2mA, 5V	>220Ic, Vce = 2mA, 5V	>200Ic, Vce = 2mA, 5V	>200Ic, Vce = 2mA, 5V	>180Ic, Vce = 2mA, 5V	>200Ic, Vce = 2mA, 5V	>200Ic, Vce = 2mA, 5V	>180Ic, Vce = 2mA, 5V	>200Ic, Vce = 2mA, 5V	>200Ic, Vce = 2mA, 5V	>200Ic, Vce = 2mA, 5V	>200Ic, Vce = 2mA, 5V	>200Ic, Vce = 2mA, 5V	>180Ic, Vce = 2mA, 5V	>180Ic, Vce = 2mA, 5V	>420Ic, Vce = 2mA, 5V	>420Ic, Vce = 2mA, 5V	>420Ic, Vce = 2mA, 5V	>420Ic, Vce = 2mA, 5V	>420Ic, Vce = 2mA, 5V	>420Ic, Vce = 2mA, 5V	>110Ic, Vce = 2mA, 5V	>110Ic, Vce = 2mA, 5V	>110Ic, Vce = 2mA, 5V	>110Ic, Vce = 2mA, 5V	>110Ic, Vce = 2mA, 5V	>110Ic, Vce = 2mA, 5V	>110Ic, Vce = 2mA, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора	U_CE-sat	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора	f_h21	<100 МГц	<100 МГц	<150 МГц	<150 МГц	<320 МГц	<320 МГц	<320 МГц	<100 МГц	<100 МГц	<100 МГц	<150 МГц	<150 МГц	<320 МГц	<150 МГц	<150 МГц	<320 МГц	<150 МГц	<150 МГц	<150 МГц	<150 МГц	<150 МГц	<320 МГц	<320 МГц	<320 МГц	<100 МГц	<100 МГц	<320 МГц	<320 МГц	<320 МГц	<150 МГц	<150 МГц	<150 МГц	<150 МГц	<150 МГц	<150 МГц	<150 МГц
Структура биполярного транзистора	Структура	PNP
Ток отсечки коллектора	I_frc	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	<100 нА	<100 нА	<100 нА	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	<100 нА	(не задано)	(не задано)	<100 нА	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	<100 нА	<100 нА	<100 нА	(не задано)	(не задано)	<100 нА	<100 нА	<100 нА	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)