BC556_J35Z

BC556, BC556A,112, BC556ABU, BC556ATA, BC556B, BC556B,112, BC556B,116, BC556BBU, BC556BG, BC556B_J18Z, BC556B_J35Z, BC556BTA, BC556BTAR, BC556BTF, BC556BTFR, BC556BU, BC556BZL1, BC556BZL1G, BC556CBU, BC556CTA, BC556_J18Z, BC556_J35Z, BC556TF, BC556TFR

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр		BC556A,112	BC556ABU	BC556ATA	BC556B	BC556B,112	BC556B,116	BC556BBU	BC556BG	BC556B_J18Z	BC556B_J35Z	BC556BTA	BC556BTAR	BC556BTF	BC556BTFR	BC556BU	BC556BZL1	BC556BZL1G	BC556CBU	BC556CTA	BC556_J18Z	BC556_J35Z	BC556TF	BC556TFR
Корпус микросхемы	Корпус	TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Производитель	Производитель	NXP Semiconductors	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	NXP Semiconductors	NXP Semiconductors	Fairchild Semiconductor	ON Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему	Монтаж	В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора	I_C	<100 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера	U_CEO	<65 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора	P_C	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<625 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора	hFE	>125Ic, Vce = 2mA, 5V	>110Ic, Vce = 2mA, 5V	>110Ic, Vce = 2mA, 5V	>200Ic, Vce = 2mA, 5V	>220Ic, Vce = 2mA, 5V	>220Ic, Vce = 2mA, 5V	>200Ic, Vce = 2mA, 5V	>180Ic, Vce = 2mA, 5V	>200Ic, Vce = 2mA, 5V	>200Ic, Vce = 2mA, 5V	>200Ic, Vce = 2mA, 5V	>200Ic, Vce = 2mA, 5V	>200Ic, Vce = 2mA, 5V	>200Ic, Vce = 2mA, 5V	>200Ic, Vce = 2mA, 5V	>180Ic, Vce = 2mA, 5V	>180Ic, Vce = 2mA, 5V	>420Ic, Vce = 2mA, 5V	>420Ic, Vce = 2mA, 5V	>110Ic, Vce = 2mA, 5V	>110Ic, Vce = 2mA, 5V	>110Ic, Vce = 2mA, 5V	>110Ic, Vce = 2mA, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора	U_CE-sat	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора	f_h21	<100 МГц	<150 МГц	<150 МГц	<150 МГц	<100 МГц	<100 МГц	<150 МГц	<280 МГц	<150 МГц	<150 МГц	<150 МГц	<150 МГц	<150 МГц	<150 МГц	<150 МГц	<280 МГц	<280 МГц	<150 МГц	<150 МГц	<150 МГц	<150 МГц	<150 МГц	<150 МГц
Структура биполярного транзистора	Структура	PNP
Ток отсечки коллектора	I_frc	(не задано)	(не задано)	(не задано)	<100 нА	(не задано)	(не задано)	(не задано)	<100 нА	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	<100 нА	<100 нА	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)