На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BC550ABU | BC550ATA | BC550B | BC550BBU | BC550B_J35Z | BC550BTA | BC550BTAR | BC550BU | BC550C | BC550C,112 | BC550C,116 | BC550CBU | BC550CG | BC550CTA | BC550_J35Z | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | ||||||||||||||
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | ON Semiconductor | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | Fairchild Semiconductor | ON Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | ||||||||||||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА | ||||||||||||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <45 В | ||||||||||||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <500 мВт | <500 мВт | <500 мВт | <500 мВт | <500 мВт | <500 мВт | <500 мВт | <500 мВт | <625 мВт | <500 мВт | <500 мВт | <500 мВт | <1.5 Вт | <500 мВт | <500 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >110Ic, Vce = 2mA, 5V | >110Ic, Vce = 2mA, 5V | >200Ic, Vce = 2mA, 5V | >200Ic, Vce = 2mA, 5V | >200Ic, Vce = 2mA, 5V | >200Ic, Vce = 2mA, 5V | >200Ic, Vce = 2mA, 5V | >110Ic, Vce = 2mA, 5V | >420Ic, Vce = 10µA, 5V | >420Ic, Vce = 2mA, 5V | >420Ic, Vce = 2mA, 5V | >420Ic, Vce = 2mA, 5V | >420Ic, Vce = 2mA, 5V | >420Ic, Vce = 2mA, 5V | >110Ic, Vce = 2mA, 5V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <250 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <300 МГц | <300 МГц | <300 МГц | <300 МГц | <300 МГц | <300 МГц | <300 МГц | <300 МГц | <250 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <300 МГц | <250 МГц | <300 МГц | <300 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | ||||||||||||||