BC337

BC337, BC337-016G, BC337-025, BC337-025G, BC337-040, BC337-040G, BC337,112, BC337,116, BC337,126, BC337-16,112, BC337-16,126, BC337-16-AP, BC337-16RL1, BC337-16RL1G, BC337-16ZL1, BC337-16ZL1G, BC337-25,112, BC337-25,116, BC337-25,126, BC337-25-AP, BC337-25RL1G, BC337-25ZL1, BC337-25ZL1G, BC337-40,116, BC337-40,412, BC337-40-AP, BC337-40RL1, BC337-40RL1G, BC337-40ZL1, BC337-40ZL1G, BC337A, BC337ABU, BC337A_J35Z, BC337-AP, BC337BU, BC337G, BC337_J35Z, BC337RL1, BC337RL1G, BC337TF, BC337TFR, BC337ZL1, BC337ZL1G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBC337-016GBC337-025BC337-025GBC337-040BC337-040GBC337,112BC337,116BC337,126BC337-16,112BC337-16,126BC337-16-APBC337-16RL1BC337-16RL1GBC337-16ZL1BC337-16ZL1GBC337-25,112BC337-25,116BC337-25,126BC337-25-APBC337-25RL1GBC337-25ZL1BC337-25ZL1GBC337-40,116BC337-40,412BC337-40-APBC337-40RL1BC337-40RL1GBC337-40ZL1BC337-40ZL1GBC337ABC337ABUBC337A_J35ZBC337-APBC337BUBC337GBC337_J35ZBC337RL1BC337RL1GBC337TFBC337TFRBC337ZL1BC337ZL1G
Корпус микросхемы
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Производитель
Производитель
ON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorNXP SemiconductorsNXP SemiconductorsNXP SemiconductorsNXP SemiconductorsNXP SemiconductorsMicro Commercial CoON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorNXP SemiconductorsNXP SemiconductorsNXP SemiconductorsMicro Commercial CoON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorNXP SemiconductorsNXP SemiconductorsMicro Commercial CoON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorMicro Commercial CoFairchild SemiconductorON SemiconductorFairchild SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorON SemiconductorON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<800 мА<800 мА<800 мА<800 мА<800 мА<500 мА<500 мА<500 мА<500 мА<500 мА<800 мА<800 мА<800 мА<800 мА<800 мА<500 мА<500 мА<500 мА<800 мА<800 мА<800 мА<800 мА<500 мА<500 мА<800 мА<800 мА<800 мА<800 мА<800 мА<800 мА<800 мА<800 мА<800 мА<800 мА<800 мА<800 мА<800 мА<800 мА<800 мА<800 мА<800 мА<800 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<45 В<45 В<45 В<45 В<45 В<45 В<45 В<45 В<45 В<45 В<45 В<45 В<45 В<45 В<45 В<45 В<45 В<45 В<45 В<45 В<45 В<45 В<45 В<45 В<45 В<45 В<45 В<45 В<45 В<60 В<60 В<60 В<45 В<45 В<45 В<45 В<45 В<45 В<45 В<45 В<45 В<45 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<625 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>100Ic, Vce = 100mA, 1V>160Ic, Vce = 100mA, 1V>160Ic, Vce = 100mA, 1V>250Ic, Vce = 100mA, 1V>250Ic, Vce = 100mA, 1V>100Ic, Vce = 100mA, 1V>100Ic, Vce = 100mA, 1V>100Ic, Vce = 100mA, 1V>100Ic, Vce = 100mA, 1V>100Ic, Vce = 100mA, 1V>100Ic, Vce = 300mA, 1V>100Ic, Vce = 100mA, 1V>100Ic, Vce = 100mA, 1V>100Ic, Vce = 100mA, 1V>100Ic, Vce = 100mA, 1V>160Ic, Vce = 100mA, 1V>160Ic, Vce = 100mA, 1V>160Ic, Vce = 100mA, 1V>160Ic, Vce = 300mA, 1V>160Ic, Vce = 100mA, 1V>160Ic, Vce = 100mA, 1V>160Ic, Vce = 100mA, 1V>250Ic, Vce = 100mA, 1V>250Ic, Vce = 100mA, 1V>250Ic, Vce = 300mA, 1V>250Ic, Vce = 100mA, 1V>250Ic, Vce = 100mA, 1V>250Ic, Vce = 100mA, 1V>250Ic, Vce = 100mA, 1V>100Ic, Vce = 100mA, 1V>100Ic, Vce = 100mA, 1V>100Ic, Vce = 100mA, 1V>60Ic, Vce = 300mA, 1V>100Ic, Vce = 100mA, 1V>100Ic, Vce = 100mA, 1V>100Ic, Vce = 100mA, 1V>100Ic, Vce = 100mA, 1V>100Ic, Vce = 100mA, 1V>100Ic, Vce = 100mA, 1V>100Ic, Vce = 100mA, 1V>100Ic, Vce = 100mA, 1V>100Ic, Vce = 100mA, 1V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<210 МГц<210 МГц<210 МГц<210 МГц<210 МГц<100 МГц<100 МГц<100 МГц<100 МГц<100 МГц<210 МГц<210 МГц<210 МГц<210 МГц<210 МГц<100 МГц<100 МГц<100 МГц<210 МГц<210 МГц<210 МГц<210 МГц<100 МГц<100 МГц<210 МГц<210 МГц<210 МГц<210 МГц<210 МГц<100 МГц<100 МГц<100 МГц<210 МГц<100 МГц<210 МГц<100 МГц<210 МГц<210 МГц<100 МГц<100 МГц<210 МГц<210 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<100 нА<100 нА<100 нА<100 нА<100 нА<100 нА<100 нА<100 нА<100 нА<100 нА<200 нА<100 нА<100 нА<100 нА<100 нА<100 нА<100 нА<100 нА<200 нА<100 нА<100 нА<100 нА<100 нА<100 нА<200 нА<100 нА<100 нА<100 нА<100 нА<100 нА<100 нА<100 нА<200 нА<100 нА<100 нА<100 нА<100 нА<100 нА<100 нА<100 нА<100 нА<100 нА