BC308

BC308, BC308A, BC308ABU, BC308A_J35Z, BC308ATA, BC308ATF, BC308ATFR, BC308BBU, BC308BTA, BC308BU, BC308C, BC308CBU, BC308C_J35Z, BC308_J35Z, BC308TA, BC308TAR

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBC308ABC308ABUBC308A_J35ZBC308ATABC308ATFBC308ATFRBC308BBUBC308BTABC308BUBC308CBC308CBUBC308C_J35ZBC308_J35ZBC308TABC308TAR
Корпус микросхемы
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Производитель
Производитель
Fairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<100 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<25 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<500 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>120Ic, Vce = 2mA, 5V>120Ic, Vce = 2mA, 5V>120Ic, Vce = 2mA, 5V>120Ic, Vce = 2mA, 5V>120Ic, Vce = 2mA, 5V>120Ic, Vce = 2mA, 5V>180Ic, Vce = 2mA, 5V>180Ic, Vce = 2mA, 5V>180Ic, Vce = 2mA, 5V>380Ic, Vce = 2mA, 5V>380Ic, Vce = 2mA, 5V>380Ic, Vce = 2mA, 5V>120Ic, Vce = 2mA, 5V>120Ic, Vce = 2mA, 5V>120Ic, Vce = 2mA, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<500 мВIb, Ic = 5mA, 100mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<130 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<15 нА