На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BC307ABU | BC307ATA | BC307B | BC307BBU | BC307BG | BC307B_J35Z | BC307BRL1 | BC307BRL1G | BC307BTA | BC307BTF | BC307BTFR | BC307BU | BC307BZL1G | BC307C | BC307CBU | BC307CG | BC307_J35Z | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | ||||||||||||||||
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | ON Semiconductor | Fairchild Semiconductor | ON Semiconductor | Fairchild Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Fairchild Semiconductor | ON Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | ||||||||||||||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА | ||||||||||||||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <45 В | ||||||||||||||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <500 мВт | <500 мВт | <350 мВт | <500 мВт | <350 мВт | <500 мВт | <350 мВт | <350 мВт | <500 мВт | <500 мВт | <500 мВт | <500 мВт | <350 мВт | <350 мВт | <500 мВт | <350 мВт | <500 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >120Ic, Vce = 2mA, 5V | >120Ic, Vce = 2mA, 5V | >150Ic, Vce = 10µA, 5V | >180Ic, Vce = 2mA, 5V | >150Ic, Vce = 10µA, 5V | >180Ic, Vce = 2mA, 5V | >150Ic, Vce = 10µA, 5V | >150Ic, Vce = 10µA, 5V | >180Ic, Vce = 2mA, 5V | >180Ic, Vce = 2mA, 5V | >180Ic, Vce = 2mA, 5V | >120Ic, Vce = 2mA, 5V | >150Ic, Vce = 10µA, 5V | >270Ic, Vce = 10µA, 5V | >380Ic, Vce = 2mA, 5V | >270Ic, Vce = 10µA, 5V | >120Ic, Vce = 2mA, 5V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <500 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <500 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <500 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <500 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <500 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <500 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <500 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <500 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <500 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <500 мВIb, Ic = 5mA, 100mA |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <130 МГц | <130 МГц | <280 МГц | <130 МГц | <280 МГц | <130 МГц | <280 МГц | <280 МГц | <130 МГц | <130 МГц | <130 МГц | <130 МГц | <280 МГц | <280 МГц | <130 МГц | <280 МГц | <130 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | ||||||||||||||||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <15 нА | ||||||||||||||||