BC239ATA

BC239, BC239ABU, BC239ATA, BC239BBU, BC239BTA, BC239C, BC239CBU, BC239CG, BC239CTA

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBC239ABUBC239ATABC239BBUBC239BTABC239CBC239CBUBC239CGBC239CTA
Корпус микросхемы
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Производитель
Производитель
Fairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorON SemiconductorFairchild SemiconductorON SemiconductorFairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<100 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<25 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<500 мВт<500 мВт<500 мВт<500 мВт<350 мВт<500 мВт<350 мВт<500 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>120Ic, Vce = 2mA, 5V>120Ic, Vce = 2mA, 5V>180Ic, Vce = 2mA, 5V>180Ic, Vce = 2mA, 5V>270Ic, Vce = 10µA, 5V>380Ic, Vce = 2mA, 5V>270Ic, Vce = 10µA, 5V>380Ic, Vce = 2mA, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<200 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<200 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<250 МГц<250 МГц<250 МГц<250 МГц<140 МГц<250 МГц<140 МГц<250 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<15 нА