На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BC237A | BC237ABU | BC237A_J35Z | BC237ATA | BC237B | BC237BBU | BC237BG | BC237B_J35Z | BC237BRL1 | BC237BRL1G | BC237BTA | BC237BTAR | BC237BTF | BC237BTFR | BC237BU | BC237BZL1 | BC237BZL1G | BC237C | BC237CBU | BC237CG | BC237CTA | BC237G | BC237_J35Z | BC237TF | BC237TFR | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | ||||||||||||||||||||||||
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | ON Semiconductor | Fairchild Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Fairchild Semiconductor | ON Semiconductor | Fairchild Semiconductor | ON Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | ||||||||||||||||||||||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА | ||||||||||||||||||||||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <45 В | ||||||||||||||||||||||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <500 мВт | <500 мВт | <500 мВт | <500 мВт | <500 мВт | <500 мВт | <350 мВт | <500 мВт | <350 мВт | <350 мВт | <500 мВт | <500 мВт | <500 мВт | <500 мВт | <500 мВт | <350 мВт | <350 мВт | <350 мВт | <500 мВт | <350 мВт | <500 мВт | <350 мВт | <500 мВт | <500 мВт | <500 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >120Ic, Vce = 2mA, 5V | >120Ic, Vce = 2mA, 5V | >120Ic, Vce = 2mA, 5V | >120Ic, Vce = 2mA, 5V | >180Ic, Vce = 2mA, 5V | >180Ic, Vce = 2mA, 5V | >200Ic, Vce = 2mA, 5V | >180Ic, Vce = 2mA, 5V | >200Ic, Vce = 2mA, 5V | >200Ic, Vce = 2mA, 5V | >180Ic, Vce = 2mA, 5V | >180Ic, Vce = 2mA, 5V | >180Ic, Vce = 2mA, 5V | >180Ic, Vce = 2mA, 5V | >120Ic, Vce = 2mA, 5V | >200Ic, Vce = 2mA, 5V | >200Ic, Vce = 2mA, 5V | >380Ic, Vce = 2mA, 5V | >380Ic, Vce = 2mA, 5V | >380Ic, Vce = 2mA, 5V | >380Ic, Vce = 2mA, 5V | >380Ic, Vce = 2mA, 5V | >120Ic, Vce = 2mA, 5V | >120Ic, Vce = 2mA, 5V | >120Ic, Vce = 2mA, 5V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <200 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <200 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <200 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <200 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <200 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <200 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <200 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <200 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <100 МГц | <250 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <250 МГц | <100 МГц | <250 МГц | <100 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | ||||||||||||||||||||||||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <15 нА | ||||||||||||||||||||||||