BC237

BC237, BC237A, BC237ABU, BC237A_J35Z, BC237ATA, BC237B, BC237BBU, BC237BG, BC237B_J35Z, BC237BRL1, BC237BRL1G, BC237BTA, BC237BTAR, BC237BTF, BC237BTFR, BC237BU, BC237BZL1, BC237BZL1G, BC237C, BC237CBU, BC237CG, BC237CTA, BC237G, BC237_J35Z, BC237TF, BC237TFR

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBC237ABC237ABUBC237A_J35ZBC237ATABC237BBC237BBUBC237BGBC237B_J35ZBC237BRL1BC237BRL1GBC237BTABC237BTARBC237BTFBC237BTFRBC237BUBC237BZL1BC237BZL1GBC237CBC237CBUBC237CGBC237CTABC237GBC237_J35ZBC237TFBC237TFR
Корпус микросхемы
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Производитель
Производитель
Fairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorON SemiconductorFairchild SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorFairchild SemiconductorON SemiconductorFairchild SemiconductorON SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<100 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<45 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<500 мВт<500 мВт<500 мВт<500 мВт<500 мВт<500 мВт<350 мВт<500 мВт<350 мВт<350 мВт<500 мВт<500 мВт<500 мВт<500 мВт<500 мВт<350 мВт<350 мВт<350 мВт<500 мВт<350 мВт<500 мВт<350 мВт<500 мВт<500 мВт<500 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>120Ic, Vce = 2mA, 5V>120Ic, Vce = 2mA, 5V>120Ic, Vce = 2mA, 5V>120Ic, Vce = 2mA, 5V>180Ic, Vce = 2mA, 5V>180Ic, Vce = 2mA, 5V>200Ic, Vce = 2mA, 5V>180Ic, Vce = 2mA, 5V>200Ic, Vce = 2mA, 5V>200Ic, Vce = 2mA, 5V>180Ic, Vce = 2mA, 5V>180Ic, Vce = 2mA, 5V>180Ic, Vce = 2mA, 5V>180Ic, Vce = 2mA, 5V>120Ic, Vce = 2mA, 5V>200Ic, Vce = 2mA, 5V>200Ic, Vce = 2mA, 5V>380Ic, Vce = 2mA, 5V>380Ic, Vce = 2mA, 5V>380Ic, Vce = 2mA, 5V>380Ic, Vce = 2mA, 5V>380Ic, Vce = 2mA, 5V>120Ic, Vce = 2mA, 5V>120Ic, Vce = 2mA, 5V>120Ic, Vce = 2mA, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<200 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<200 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<200 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<200 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<200 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<200 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<200 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<200 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<250 МГц<250 МГц<250 МГц<250 МГц<250 МГц<250 МГц<100 МГц<250 МГц<100 МГц<100 МГц<250 МГц<250 МГц<250 МГц<250 МГц<250 МГц<100 МГц<100 МГц<100 МГц<250 МГц<100 МГц<250 МГц<100 МГц<250 МГц<250 МГц<250 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<15 нА