На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | 2STBN15D100 | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) |
Производитель | Производитель | STMicroelectronics |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <12 А |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <100 В |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <70 Вт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >750Ic, Vce = 3A, 3V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <1.3 ВIb, Ic = 4mA, 4A |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN Darlington |
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <1 мА |