На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | 2SD2167T100P | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab) |
Производитель | Производитель | Rohm Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <2 А |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <31 В |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <500 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >82Ic, Vce = 500mA, 3V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <500 мВIb, Ic = 50mA, 1A |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <100 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN |