На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | 2SD1949T106Q | 2SD1949T106R | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-70-3, SOT-323-3 | |
Производитель | Производитель | Rohm Semiconductor | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <500 мА | |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <50 В | |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <200 мВт | |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >120Ic, Vce = 10mA, 3V | >180Ic, Vce = 10mA, 3V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA | |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <250 МГц | |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | |