На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | 2SD1819A0L | 2SD1819AQL | 2SD1819ARL | 2SD1819ASL | 2SD1819G0L | 2SD1819GQL | 2SD1819GRL | 2SD1819GSL | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | S-Mini3-G1 (SC 70) | S-Mini 3P | S-Mini3-G1 (SC 70) | S-Mini 3P | S-Mini 3P | S-Mini 3P | S-Mini 3P | S-Mini 3P |
Производитель | Производитель | Panasonic - SSG | |||||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА | |||||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <50 В | |||||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <150 мВт | |||||||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >160Ic, Vce = 2mA, 10V | >160Ic, Vce = 2mA, 10V | >210Ic, Vce = 2mA, 10V | >290Ic, Vce = 2mA, 10V | >160Ic, Vce = 2mA, 10V | >160Ic, Vce = 2mA, 10V | >210Ic, Vce = 2mA, 10V | >290Ic, Vce = 2mA, 10V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 10mA, 100mA | |||||||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <150 МГц | |||||||
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | |||||||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <100 мкА | |||||||