2SD16330

2SD16330, 2SD16330P

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр2SD16330P
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220F
Производитель
Производитель
Panasonic - SSG
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<5 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<100 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<30 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>5000Ic, Vce = 3A, 3V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<1.5 ВIb, Ic = 3mA, 3A
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<15 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN Darlington
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<100 мкА