На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | 2SD1407A-O(F) | 2SD1407A-Y(F) | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 2-10R1A (TO-220 NIS) | |
Производитель | Производитель | Toshiba | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <5 А | |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <100 В | |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <30 Вт | |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >70Ic, Vce = 1A, 5V | >120Ic, Vce = 1A, 5V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <2 ВIb, Ic = 400mA, 4A | |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <12 МГц | |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | |