На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | 2SD09580R | 2SD09580S | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | M-Type | |
Производитель | Производитель | Panasonic - SSG | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <20 мА | |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <120 В | |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <400 мВт | |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >180Ic, Vce = 2mA, 5V | >260Ic, Vce = 2mA, 5V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <600 мВIb, Ic = 2mA, 20mA | |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <200 МГц | |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | |