На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | 2SC5659T2LN | 2SC5659T2LP | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | VMT3 | |
Производитель | Производитель | Rohm Semiconductor | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <50 мА | |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <25 В | |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <150 мВт | |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >56Ic, Vce = 1mA, 6V | >82Ic, Vce = 1mA, 6V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 1mA, 10mA | |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <300 МГц | |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | |