2SC5658

2SC5658, 2SC5658M3T5G, 2SC5658T2LQ, 2SC5658T2LR, 2SC5658T2LS

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр2SC5658M3T5G2SC5658T2LQ2SC5658T2LR2SC5658T2LS
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-723VMT3VMT3VMT3
Производитель
Производитель
ON SemiconductorRohm SemiconductorRohm SemiconductorRohm Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<100 мА<150 мА<150 мА<150 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<50 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<260 мВт<150 мВт<150 мВт<150 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>120Ic, Vce = 1mA, 6V>120Ic, Vce = 1mA, 6V>180Ic, Vce = 1mA, 6V>270Ic, Vce = 1mA, 6V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<400 мВIb, Ic = 5mA, 60mA<400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA<400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA<400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<180 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN