2SC5200-O(Q)

2SC5200, 2SC5200-O, 2SC5200-O(Q), 2SC5200OTU, 2SC5200RTU

Документы

Описание

Кремниевый эпитаксиальный N-P-N транзистор. Рекомендуется для использования в выходных каскадах усилителей звука высокой верности мощностью до 100 Вт.

2SC5200 цоколевка (pinout)​

Обозначение на корпусе транзистора 2SC5200 часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как "C5200".

Комплементарная пара: транзистор 2SA1943 c p-n-p структурой.

Параметры

Параметр2SC5200-O2SC5200-O(Q)2SC5200OTU2SC5200RTU
Корпус микросхемы
Корпус
2-21F1A (TO-247 L)2-21F1A (TO-247 L)TO-264TO-264
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<15 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<230 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<150 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>80Ic, Vce = 1A, 5V>80Ic, Vce = 1A, 5V>80Ic, Vce = 1A, 5V>55Ic, Vce = 1A, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<3 ВIb, Ic = 800mA, 8A
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<30 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN