На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | 2SC4617G | 2SC4617T1 | 2SC4617T1G | 2SC4617TLQ | 2SC4617TLR | 2SC4617TLS | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini | |||||
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА | <100 мА | <100 мА | <150 мА | <150 мА | <150 мА |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <50 В | |||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <125 мВт | <125 мВт | <125 мВт | <150 мВт | <150 мВт | <150 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >120Ic, Vce = 1mA, 6V | >120Ic, Vce = 1mA, 6V | >120Ic, Vce = 1mA, 6V | >120Ic, Vce = 1mA, 6V | >180Ic, Vce = 1mA, 6V | >270Ic, Vce = 1mA, 6V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <400 мВIb, Ic = 5mA, 60mA | <400 мВIb, Ic = 5mA, 60mA | <400 мВIb, Ic = 5mA, 60mA | <400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA | <400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA | <400 мВIb, Ic = 5mA, 50mA |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <180 МГц | |||||
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | |||||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <500 нА | |||||