2SB169900L

2SB169900, 2SB169900L

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр2SB169900L
Корпус микросхемы
Корпус
Mini 3P
Производитель
Производитель
Panasonic - SSG
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<2 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<60 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<1 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>80Ic, Vce = 1A, 4V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<500 мВIb, Ic = 250mA, 2A
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<180 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP