2SB1412TLQ

2SB1412, 2SB1412TLP, 2SB1412TLQ, 2SB1412TLR

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр2SB1412TLP2SB1412TLQ2SB1412TLR
Корпус микросхемы
Корпус
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Производитель
Производитель
Rohm Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<5 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<20 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<10 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>82Ic, Vce = 500mA, 2V>120Ic, Vce = 500mA, 2V>180Ic, Vce = 500mA, 2V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<1 ВIb, Ic = 100mA, 4A
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<120 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP