На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | 2SB1386T100Q | 2SB1386T100R | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab) | |
Производитель | Производитель | Rohm Semiconductor | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <5 А | |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <20 В | |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <2 Вт | |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >120Ic, Vce = 500mA, 2V | >180Ic, Vce = 500mA, 2V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <1 ВIb, Ic = 100mA, 4A | |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <120 МГц | |
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | |