2SB12990

2SB12990, 2SB12990P

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр2SB12990P
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220F
Производитель
Производитель
Panasonic - SSG
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<3 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<60 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<40 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>400Ic, Vce = 500mA, 4V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<1 ВIb, Ic = 50mA, 2A
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<30 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<100 мкА