На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | 2SB1260T100P | 2SB1260T100Q | 2SB1260T100R | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab) | ||
Производитель | Производитель | Rohm Semiconductor | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <1 А | ||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <80 В | ||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <500 мВт | ||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >82Ic, Vce = 100mA, 3V | >120Ic, Vce = 100mA, 3V | >180Ic, Vce = 100mA, 3V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <400 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | ||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <100 МГц | ||
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | ||