2SB1218A0L

2SB1218, 2SB1218A0L, 2SB1218AQL, 2SB1218ARL, 2SB1218ASL, 2SB1218G0L, 2SB1218GQL, 2SB1218GRL, 2SB1218GSL

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр2SB1218A0L2SB1218AQL2SB1218ARL2SB1218ASL2SB1218G0L2SB1218GQL2SB1218GRL2SB1218GSL
Корпус микросхемы
Корпус
S-Mini 3PS-Mini3-G1 (SC 70)S-Mini3-G1 (SC 70)S-Mini 3PS-Mini 3PS-Mini 3PS-Mini 3PS-Mini 3P
Производитель
Производитель
Panasonic - SSG
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<100 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<45 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<150 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>160Ic, Vce = 2mA, 10V>160Ic, Vce = 2mA, 10V>210Ic, Vce = 2mA, 10V>290Ic, Vce = 2mA, 10V>160Ic, Vce = 2mA, 10V>160Ic, Vce = 2mA, 10V>210Ic, Vce = 2mA, 10V>290Ic, Vce = 2mA, 10V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<500 мВIb, Ic = 10mA, 100mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<80 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<100 мкА