2SB1189

2SB1189, 2SB1189T100Q, 2SB1189T100R

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр2SB1189T100Q2SB1189T100R
Корпус микросхемы
Корпус
SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)
Производитель
Производитель
Rohm Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<700 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<80 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<500 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>120Ic, Vce = 100mA, 3V>180Ic, Vce = 100mA, 3V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<400 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<100 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP