2SB1186

2SB1186, 2SB1186AE

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр2SB1186AE
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220-3 Full Pack (Straight Leads)
Производитель
Производитель
Rohm Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<1.5 А
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<160 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<20 Вт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>60Ic, Vce = 1A, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<2 ВIb, Ic = 100mA, 1A
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<50 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP