На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | 2SB1183TL | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 |
Производитель | Производитель | Rohm Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <2 А |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <40 В |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <10 Вт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >1000Ic, Vce = 500mA, 2V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <1.5 ВIb, Ic = 10.2mA, 600mA |
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP Darlington |