2SB1030A

2SB1030, 2SB1030A, 2SB1030ARA

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр2SB1030A2SB1030ARA
Корпус микросхемы
Корпус
NS-B1
Производитель
Производитель
Panasonic - SSG
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<500 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<50 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<300 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>85Ic, Vce = 150mA, 10V>120Ic, Vce = 150mA, 10V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<600 мВIb, Ic = 30mA, 300mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<120 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<1 мкА