На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | 2SA1930(Q,M) | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 2-10R1A (TO-220 NIS) |
Производитель | Производитель | Toshiba |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <2 А |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <180 В |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <2 Вт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >100Ic, Vce = 100mA, 5V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <1 ВIb, Ic = 100mA, 1A |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <200 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP |